SK 海力士于7 月26 日发布FY23Q2 业绩,公司单季度营收环比大幅改善,DRAM/NAND 位元出货量环比大增;高密度DDR5、高性能LPDDR5 和HBM等高端产品销量超指引。HBM 方面,公司积极推广HBM3E,计划将1bnm 应用于HBM3E 生产,公司预计24H2 实现量产和供应。AI 服务器方面,短期来看,公司预计Q3 AI 服务器需求将持续增长;中长期来看,公司预计AI 市场规模CAGR 有望达30%左右,公司持续看好AI 服务器对高端存储产品(HBM等)需求的增长。海外大厂稼动控制之下存储供需改善,我们预计主流存储价格23H2 有望持续回暖,看好产业链公司23H2 业绩底部复苏,看好AI 服务器市场爆发为HBM 等高端存储产品带来的机遇,建议关注相关环节投资机会。
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FY23Q2 营收环比大幅改善,DRAM ASP 环比上涨。SK 海力士Q2 实现营收-47% YoY、+44% QoQ 至7.31 万亿韩元;毛利率为-16%, QoQ+16pcts;23Q2净亏损2.99 万亿韩元,较Q1 的2.59 万亿韩元有所扩大。库存方面,FY23Q2库存环比减少4.4%至16.42 万亿韩元,同时存货估值损失因DRAM 价格上涨而减少。营收结构来看,Q2 DRAM 营收占比62%(位元出货量+30% QoQ,ASP+high-single% QoQ),NAND 营收占比30%(位元出货量+50% QoQ,ASP -10%QoQ)。DRAM ASP 环比增长受益于应用于AI 服务器的高端产品的销量增长。
FY23Q3 展望,公司预计DRAM 需求(按Bit)环比增长10-15%(low-to-midteen),NAND 需求预计环比持平。对于DRAM,公司计划持续支持高密度&HBM产品需求,扩大高性能DDR5 和高密度LPDDR5 销售,准备1bnm 大规模量产。
对于NAND,公司将扩大176 层SSD 的销售,准备为238 层NAND 大规模量产。公司预计FY23 DDR5 128GB+高密度服务器模组+HBM 产品销售额将同比增长超2 倍。
FY2023 资本开支计划同比削减超50%,决定对NAND 进一步减产5-10%。公司FY2022 资本开支约19 万亿韩元,此前预计FY2023 资本开支将同比削减超50%,现公司维持该计划,但将在有限的资本开支预算内确保高密度DDR5/HBM的生产能力。公司表示FY23Q2 内存需求有所恢复,但行业整体库存仍高,因此决定对NAND 进一步减产5-10%。
HBM 持续引领市场,公司预计24H2 大规模供应HBM3E。公司目前能够提供行业最高规格的12 层堆叠24GB HBM3 产品,并预计将在24H1 将1bnm 应用于HBM3E(以及LPDDR5T),预计24H2 将大规模量产并供应HBM3E,并计划在2026 年升级至HBM4。
行业景气展望:需求端看好移动终端、AI 服务器高端产品,行业景气有望逐步回暖,公司预计23 年DRAM/NAND 需求(按Bit)分别增长5-10%(mid-to-highsingle)和约15%(mid teen);其中:1)PC:渠道库存量下降,产品出货量将环比增长,公司预计23H2 商用和游戏产品将带动内存需求增长。2)移动端:
需求复苏仍相对乏力,公司预计23H2 受益新产品推出和低内存价格需求有望改善;旗舰产品对高密度/高性能的LPDDR5 需求增加。3)服务器:CY23 整体由于云服务商削减IT 开支、调整库存导致端需求疲软,但FY23Q2 起,AI 市场增长带动高端服务器产品需求,高规格DDR5/HBM 需求持续增加;公司预计中长期AI 市场规模CAGR 达30%左右,带动服务器需求CAGR 达高个位数(highsingle)。
存储价格底部明确,高端产品价格有望率先回暖,关注国内厂商在HBM 领域的发展机遇。我们认为,随供给侧海外原厂稼动率调整效果在23H2 逐步显现,并且随品牌厂商新产品发布和消费传统旺季到来,下游需求有望逐步回暖,存储供需关系将持续改善,带动整体存储价格温和回升,高端存储价格有望率先开启涨势。根据Bloomberg,6月DRAM价格延续下跌趋势但跌幅收窄至0.98%-3.85%,NAND Flash 价格趋稳,跌幅为0.00%-1.42%;23Q2 来看,根据TrendForce,23Q2 DRAM 跌幅收缩至13%-18%,(PC 及Server DRAM 跌幅为15%-20%;Mobile DRAM 跌幅为13%-18%),NAND Flash 价格跌幅为10-15%。HBM 方面,受制于高技术壁垒,目前全球仅SK 海力士、三星、美光能够稳定供应(根据TrendForce,2022 年三家份额分别为50%/40%/10%),国内企业尚处于技术储备期。我们认为,HBM 在AI 服务器需求驱动下将快速放量,国内厂商有望从率先从封测端取得进展,逐步导入模组端,长期受益于AI 发展浪潮。
风险因素:后续海外国家对华半导体技术限制超预期;先进技术创新不及预期;国际产业环境变化和贸易摩擦加剧;下游需求不及预期;厂商产能控制不及预期,行业竞争加剧。
投资策略:行业周期角度,海外大厂稼动控制之下存储供需改善,我们预计主流存储价格23H2 有望持续回暖,看好产业链公司23H2 业绩底部复苏;细分市场角度,看好AI 服务器市场爆发为HBM 等高端存储产品带来的机遇,建议关注:
1)存储模组:深科技、江波龙、佰维存储、德明利、协创数据、朗科科技等;2)存储配套芯片:澜起科技、聚辰股份等; 3)存储芯片设计:东芯股份、兆易创新、北京君正、普冉股份、恒烁股份等。